P-Channel MOSFET, 170 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 Infineon BSS84PH6327XTSA2

RS tilauskoodi: 892-2217Tuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: BSS84PH6327XTSA2
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

170 mA

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

SIPMOS

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

12 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

360 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

2.9mm

Typical Gate Charge @ Vgs

1 nC @ 10 V

Width

1.3mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.24V

Height

0.9mm

Tuotetiedot

Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFETs

The Infineon SIPMOS® small Signal P- channel MOSFETs have several features which may include enhancement mode, continuous drain current some as low as -80A plus a wide operating temperature range. The SIPMOS Power transistor can be used in a variety of applications including Telecom, eMobility, Notebooks, DC/DC devices as well as the automotive industry.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,033

1 kpl (250 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,041

1 kpl (250 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

P-Channel MOSFET, 170 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 Infineon BSS84PH6327XTSA2
Valitse pakkaustyyppi

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 250.

Tuotanto -

Pakkauskoko 250.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

250

Pakkauskoko 250
250€ 8,25
500€ 16,50
750€ 24,75
1000€ 33,00
1250€ 41,25
1500€ 49,50
1750€ 57,75
2000€ 66,00
2250€ 74,25
2500€ 82,50
2750€ 90,75
3000€ 99,00
3250€ 107,25
3500€ 115,50
3750€ 123,75

€ 0,033

1 kpl (250 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,041

1 kpl (250 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

P-Channel MOSFET, 170 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 Infineon BSS84PH6327XTSA2
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 250.

Tuotanto -

Pakkauskoko 250.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

250

Pakkauskoko 250
250€ 8,25
500€ 16,50
750€ 24,75
1000€ 33,00
1250€ 41,25
1500€ 49,50
1750€ 57,75
2000€ 66,00
2250€ 74,25
2500€ 82,50
2750€ 90,75
3000€ 99,00
3250€ 107,25
3500€ 115,50
3750€ 123,75

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

170 mA

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

SIPMOS

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

12 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

360 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

2.9mm

Typical Gate Charge @ Vgs

1 nC @ 10 V

Width

1.3mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.24V

Height

0.9mm

Tuotetiedot

Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFETs

The Infineon SIPMOS® small Signal P- channel MOSFETs have several features which may include enhancement mode, continuous drain current some as low as -80A plus a wide operating temperature range. The SIPMOS Power transistor can be used in a variety of applications including Telecom, eMobility, Notebooks, DC/DC devices as well as the automotive industry.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja