Dual N-Channel MOSFET Transistor & Diode, 25 A, 30 V, 8-Pin PQFN 3 x 3 Infineon BSZ0910NDXTMA1
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
25 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Series
OptiMOS
Package Type
PQFN 3 x 3
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
0.0095 O
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Number of Elements per Chip
2
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,942
1 kpl (5000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 1,168
1 kpl (5000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
5000
€ 0,942
1 kpl (5000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 1,168
1 kpl (5000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
5000
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
25 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Series
OptiMOS
Package Type
PQFN 3 x 3
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
0.0095 O
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Number of Elements per Chip
2
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.