N-Channel MOSFET, 40 A, 100 V, 8-Pin TSDSON Infineon BSZ097N10NS5ATMA1

RS tilauskoodi: 170-2300Tuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: BSZ097N10NS5ATMA1
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

40 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Package Type

TSDSON

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

13 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.8V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.2V

Maximum Power Dissipation

69 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

20 V

Width

3.4mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3.4mm

Typical Gate Charge @ Vgs

22 nC @ 10 V

Height

1.1mm

Series

BSZ097N10NS5

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,888

1 kpl (5000 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 1,101

1 kpl (5000 kpl/kela) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 40 A, 100 V, 8-Pin TSDSON Infineon BSZ097N10NS5ATMA1

€ 0,888

1 kpl (5000 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 1,101

1 kpl (5000 kpl/kela) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 40 A, 100 V, 8-Pin TSDSON Infineon BSZ097N10NS5ATMA1
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

40 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Package Type

TSDSON

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

13 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.8V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.2V

Maximum Power Dissipation

69 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

20 V

Width

3.4mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3.4mm

Typical Gate Charge @ Vgs

22 nC @ 10 V

Height

1.1mm

Series

BSZ097N10NS5

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V