N-Channel MOSFET, 10.9 A, 250 V, 8-Pin PQFN 3 x 3 Infineon BSZ16DN25NS3GATMA1
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
10.9 A
Maximum Drain Source Voltage
250 V
Package Type
PQFN 3 x 3
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
0.165 O
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Series
OptiMOS 3
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 1,05
1 kpl (5000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 1,302
1 kpl (5000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
5000
€ 1,05
1 kpl (5000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 1,302
1 kpl (5000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
5000
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
10.9 A
Maximum Drain Source Voltage
250 V
Package Type
PQFN 3 x 3
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
0.165 O
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Series
OptiMOS 3
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.