3 SiC N-Channel MOSFET, 25 A, 1200 V, 23-Pin AG-EASY1B Infineon DF11MR12W1M1HFB67BPSA1
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
25 A
Maximum Drain Source Voltage
1200 V
Package Type
AG-EASY1B
Series
EasyPACK
Pin Count
23
Channel Mode
Enhancement
Number of Elements per Chip
3
Transistor Material
SiC
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 2 808,00
€ 117,00 Each (In a Tray of 24) (ilman ALV)
€ 3 524,04
€ 146,835 Each (In a Tray of 24) (Sis ALV:n)
24
€ 2 808,00
€ 117,00 Each (In a Tray of 24) (ilman ALV)
€ 3 524,04
€ 146,835 Each (In a Tray of 24) (Sis ALV:n)
24
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
25 A
Maximum Drain Source Voltage
1200 V
Package Type
AG-EASY1B
Series
EasyPACK
Pin Count
23
Channel Mode
Enhancement
Number of Elements per Chip
3
Transistor Material
SiC
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.