Infineon FF1200R12IE5PBPSA1 Dual IGBT Module, 1.2 kA 1200 V, 10-Pin PRIME2
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonMaximum Continuous Collector Current
1.2 kA
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20V
Maximum Power Dissipation
20 mW
Number of Transistors
2
Package Type
PRIME2
Configuration
Dual
Channel Type
N
Pin Count
10
Transistor Configuration
Dual
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 800,00
Each (In a Tray of 3) (ilman ALV)
€ 992,00
Each (In a Tray of 3) (Sis ALV:n)
3
€ 800,00
Each (In a Tray of 3) (ilman ALV)
€ 992,00
Each (In a Tray of 3) (Sis ALV:n)
3
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonMaximum Continuous Collector Current
1.2 kA
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20V
Maximum Power Dissipation
20 mW
Number of Transistors
2
Package Type
PRIME2
Configuration
Dual
Channel Type
N
Pin Count
10
Transistor Configuration
Dual
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.