Infineon FF1200XTR17T2P5PBPSA1 Half Bridge IGBT, 1.2 kA 1700 V, Screw Mount
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonMaximum Continuous Collector Current
1.2 kA
Maximum Collector Emitter Voltage
1700 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Number of Transistors
2
Maximum Power Dissipation
1200 kW
Configuration
Half Bridge
Mounting Type
Screw Mount
Channel Type
N
Alkuperämaa
Germany
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 1 515,00
€ 1 515,00 kpl (ilman ALV)
€ 1 901,32
€ 1 901,32 kpl (Sis ALV:n)
1
€ 1 515,00
€ 1 515,00 kpl (ilman ALV)
€ 1 901,32
€ 1 901,32 kpl (Sis ALV:n)
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
1
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonMaximum Continuous Collector Current
1.2 kA
Maximum Collector Emitter Voltage
1700 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Number of Transistors
2
Maximum Power Dissipation
1200 kW
Configuration
Half Bridge
Mounting Type
Screw Mount
Channel Type
N
Alkuperämaa
Germany
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.