Infineon FF900R12ME7BPSA1, P-Channel Dual IGBT, 900 A 1200 V AG-ECONOD, Through Hole
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonMaximum Continuous Collector Current
900 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Maximum Power Dissipation
20 mW
Number of Transistors
2
Configuration
Dual
Package Type
AG-ECONOD
Mounting Type
Through Hole
Channel Type
P
Alkuperämaa
Austria
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 281,00
€ 281,00 kpl (ilman ALV)
€ 352,66
€ 352,66 kpl (Sis ALV:n)
1
€ 281,00
€ 281,00 kpl (ilman ALV)
€ 352,66
€ 352,66 kpl (Sis ALV:n)
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
1
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonMaximum Continuous Collector Current
900 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Maximum Power Dissipation
20 mW
Number of Transistors
2
Configuration
Dual
Package Type
AG-ECONOD
Mounting Type
Through Hole
Channel Type
P
Alkuperämaa
Austria
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.