Infineon FF900R12ME7WBPSA1 Dual IGBT Module, 890 A 1200 V, Panel Mount
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonMaximum Continuous Collector Current
890 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20V
Number of Transistors
2
Maximum Power Dissipation
20 mW
Configuration
Dual
Mounting Type
Panel Mount
Alkuperämaa
Hungary
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 377,00
€ 377,00 kpl (ilman ALV)
€ 473,14
€ 473,14 kpl (Sis ALV:n)
1
€ 377,00
€ 377,00 kpl (ilman ALV)
€ 473,14
€ 473,14 kpl (Sis ALV:n)
1
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonMaximum Continuous Collector Current
890 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20V
Number of Transistors
2
Maximum Power Dissipation
20 mW
Configuration
Dual
Mounting Type
Panel Mount
Alkuperämaa
Hungary
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.