Infineon FP50R12KT4PBPSA1 IGBT Module, 50 A 1200 V EASY2B
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonMaximum Continuous Collector Current
50 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20V
Maximum Power Dissipation
20 mW
Number of Transistors
7
Package Type
EASY2B
Channel Type
N
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 135,00
Each (In a Tray of 10) (ilman ALV)
€ 167,40
Each (In a Tray of 10) (Sis ALV:n)
10
€ 135,00
Each (In a Tray of 10) (ilman ALV)
€ 167,40
Each (In a Tray of 10) (Sis ALV:n)
10
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonMaximum Continuous Collector Current
50 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20V
Maximum Power Dissipation
20 mW
Number of Transistors
7
Package Type
EASY2B
Channel Type
N
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.