3 P-Channel MOSFET, 1.2 kA, 4500 V Depletion Tray Infineon FZ1200R45HL4S7BPSA1
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
1.2 kA
Maximum Drain Source Voltage
4500 V
Package Type
Tray
Series
FZ1200
Mounting Type
Chassis Mount
Channel Mode
Depletion
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
3
Alkuperämaa
Hungary
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 2 620,00
€ 2 620,00 kpl (ilman ALV)
€ 3 288,10
€ 3 288,10 kpl (Sis ALV:n)
1
€ 2 620,00
€ 2 620,00 kpl (ilman ALV)
€ 3 288,10
€ 3 288,10 kpl (Sis ALV:n)
1
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
1.2 kA
Maximum Drain Source Voltage
4500 V
Package Type
Tray
Series
FZ1200
Mounting Type
Chassis Mount
Channel Mode
Depletion
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
3
Alkuperämaa
Hungary
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.