Silicon N-Channel MOSFET, 120 A, 40 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 Infineon IAUC120N04S6L008ATMA1
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
120 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Series
IAUC
Package Type
SuperSO8 5 x 6
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
0.0008 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Silicon
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 1,30
1 kpl (5000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 1,612
1 kpl (5000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
5000
€ 1,30
1 kpl (5000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 1,612
1 kpl (5000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
5000
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
120 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Series
IAUC
Package Type
SuperSO8 5 x 6
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
0.0008 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Silicon
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.