Infineon IFF450B12ME4PB11BPSA1 Dual IGBT Module, 450 A 1200 V ECONOD
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonMaximum Continuous Collector Current
450 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20V
Maximum Power Dissipation
20 mW
Number of Transistors
2
Package Type
ECONOD
Configuration
Dual
Channel Type
N
Transistor Configuration
Dual
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 256,00
Each (In a Tray of 6) (ilman ALV)
€ 317,44
Each (In a Tray of 6) (Sis ALV:n)
6
€ 256,00
Each (In a Tray of 6) (ilman ALV)
€ 317,44
Each (In a Tray of 6) (Sis ALV:n)
6
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonMaximum Continuous Collector Current
450 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20V
Maximum Power Dissipation
20 mW
Number of Transistors
2
Package Type
ECONOD
Configuration
Dual
Channel Type
N
Transistor Configuration
Dual
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.