Infineon IGB50N65S5ATMA1 Single IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin PG-TO263
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonMaximum Continuous Collector Current
80 A
Maximum Collector Emitter Voltage
650 V
Maximum Gate Emitter Voltage
30V
Maximum Power Dissipation
270 W
Number of Transistors
1
Package Type
PG-TO263
Configuration
Single
Channel Type
N
Pin Count
3
Transistor Configuration
Single
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 2,05
1 kpl (1000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 2,542
1 kpl (1000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
1000
€ 2,05
1 kpl (1000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 2,542
1 kpl (1000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
1000
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonMaximum Continuous Collector Current
80 A
Maximum Collector Emitter Voltage
650 V
Maximum Gate Emitter Voltage
30V
Maximum Power Dissipation
270 W
Number of Transistors
1
Package Type
PG-TO263
Configuration
Single
Channel Type
N
Pin Count
3
Transistor Configuration
Single
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.