Infineon IHW40N120R3FKSA1 IGBT, 80 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

RS tilauskoodi: 170-2259Tuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: IHW40N120R3FKSA1
brand-logo
Näytä kaikki IGBTs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

80 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

429 W

Number of Transistors

1

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

Dimensions

16.13 x 5.21 x 21.1mm

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Energy Rating

2.02mJ

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 2,60

1 kpl (30 kpl/putki) (ilman ALV)

€ 3,224

1 kpl (30 kpl/putki) (Sis ALV:n)

Infineon IHW40N120R3FKSA1 IGBT, 80 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

€ 2,60

1 kpl (30 kpl/putki) (ilman ALV)

€ 3,224

1 kpl (30 kpl/putki) (Sis ALV:n)

Infineon IHW40N120R3FKSA1 IGBT, 80 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

80 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

429 W

Number of Transistors

1

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

Dimensions

16.13 x 5.21 x 21.1mm

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Energy Rating

2.02mJ

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja