Infineon IKB30N65ES5ATMA1 IGBT, 30 A 650 V, 3-Pin TO-263, Through Hole
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonMaximum Continuous Collector Current
30 A
Maximum Collector Emitter Voltage
650 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20 V, ±30V
Number of Transistors
1
Maximum Power Dissipation
188 W
Package Type
TO-263
Mounting Type
Through Hole
Channel Type
N
Pin Count
3
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 2,15
1 kpl (1000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 2,666
1 kpl (1000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
1000
€ 2,15
1 kpl (1000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 2,666
1 kpl (1000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
1000
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonMaximum Continuous Collector Current
30 A
Maximum Collector Emitter Voltage
650 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20 V, ±30V
Number of Transistors
1
Maximum Power Dissipation
188 W
Package Type
TO-263
Mounting Type
Through Hole
Channel Type
N
Pin Count
3
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.