Infineon IKQ40N120CH3XKSA1, P-Channel IGBT, 40 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

RS tilauskoodi: 162-3286Tuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: IKQ40N120CH3XKSA1
brand-logo
Näytä kaikki IGBTs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

40 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±30V

Maximum Power Dissipation

500 W

Number of Transistors

1

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

P

Pin Count

3

Switching Speed

60kHz

Transistor Configuration

Single

Dimensions

15.9 x 5.1 x 21.1mm

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Gate Capacitance

2385pF

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Energy Rating

4.6mJ

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 5,00

1 kpl (30 kpl/putki) (ilman ALV)

€ 6,20

1 kpl (30 kpl/putki) (Sis ALV:n)

Infineon IKQ40N120CH3XKSA1, P-Channel IGBT, 40 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

€ 5,00

1 kpl (30 kpl/putki) (ilman ALV)

€ 6,20

1 kpl (30 kpl/putki) (Sis ALV:n)

Infineon IKQ40N120CH3XKSA1, P-Channel IGBT, 40 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

40 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±30V

Maximum Power Dissipation

500 W

Number of Transistors

1

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

P

Pin Count

3

Switching Speed

60kHz

Transistor Configuration

Single

Dimensions

15.9 x 5.1 x 21.1mm

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Gate Capacitance

2385pF

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Energy Rating

4.6mJ