Infineon IKQ50N120CH3XKSA1, P-Channel IGBT, 100 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

RS tilauskoodi: 162-3328Tuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: IKQ50N120CH3XKSA1
brand-logo
Näytä kaikki IGBTs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

100 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±30V

Maximum Power Dissipation

652 W

Number of Transistors

1

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

P

Pin Count

3

Switching Speed

60kHz

Transistor Configuration

Single

Dimensions

15.9 x 5.1 x 21.1mm

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Gate Capacitance

3269pF

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Energy Rating

4.9mJ

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 12,40

kpl (ilman ALV)

€ 15,38

kpl (Sis ALV:n)

Infineon IKQ50N120CH3XKSA1, P-Channel IGBT, 100 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
Valitse pakkaustyyppi

€ 12,40

kpl (ilman ALV)

€ 15,38

kpl (Sis ALV:n)

Infineon IKQ50N120CH3XKSA1, P-Channel IGBT, 100 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Osta irtotavarana

MääräYksikköhinta
1 - 9€ 12,40
10 - 19€ 11,40
20+€ 10,60

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

100 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±30V

Maximum Power Dissipation

652 W

Number of Transistors

1

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

P

Pin Count

3

Switching Speed

60kHz

Transistor Configuration

Single

Dimensions

15.9 x 5.1 x 21.1mm

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Gate Capacitance

3269pF

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Energy Rating

4.9mJ

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja