Infineon IKZ75N65EH5XKSA1, P-Channel IGBT, 90 A 650 V, 4-Pin TO-247, Through Hole

RS tilauskoodi: 162-3291Tuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: IKZ75N65EH5XKSA1
brand-logo
Näytä kaikki IGBTs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

90 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±30V

Number of Transistors

1

Maximum Power Dissipation

395 W

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

P

Pin Count

4

Switching Speed

100kHz

Transistor Configuration

Single

Dimensions

16.3 x 5.21 x 21.1mm

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Energy Rating

1.11mJ

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Gate Capacitance

4300pF

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 8,20

1 kpl (30 kpl/putki) (ilman ALV)

€ 10,168

1 kpl (30 kpl/putki) (Sis ALV:n)

Infineon IKZ75N65EH5XKSA1, P-Channel IGBT, 90 A 650 V, 4-Pin TO-247, Through Hole

€ 8,20

1 kpl (30 kpl/putki) (ilman ALV)

€ 10,168

1 kpl (30 kpl/putki) (Sis ALV:n)

Infineon IKZ75N65EH5XKSA1, P-Channel IGBT, 90 A 650 V, 4-Pin TO-247, Through Hole
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Putki
30 - 30€ 8,20€ 246,00
60 - 120€ 7,90€ 237,00
150+€ 7,60€ 228,00

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

90 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±30V

Number of Transistors

1

Maximum Power Dissipation

395 W

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

P

Pin Count

4

Switching Speed

100kHz

Transistor Configuration

Single

Dimensions

16.3 x 5.21 x 21.1mm

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Energy Rating

1.11mJ

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Gate Capacitance

4300pF

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja