Infineon CoolSiC Silicon N-Channel MOSFET, 35 A, 650 V, 4-Pin TO-247-4 IMZA65R057M1HXKSA1

RS tilauskoodi: 232-0410Tuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: IMZA65R057M1HXKSA1
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

35 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Package Type

TO-247-4

Series

CoolSiC

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance

0.074 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5.7V

Transistor Material

Silicon

Number of Elements per Chip

1

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 7,80

€ 7,80 kpl (ilman ALV)

€ 9,79

€ 9,79 kpl (Sis ALV:n)

Infineon CoolSiC Silicon N-Channel MOSFET, 35 A, 650 V, 4-Pin TO-247-4 IMZA65R057M1HXKSA1
Valitse pakkaustyyppi

€ 7,80

€ 7,80 kpl (ilman ALV)

€ 9,79

€ 9,79 kpl (Sis ALV:n)

Infineon CoolSiC Silicon N-Channel MOSFET, 35 A, 650 V, 4-Pin TO-247-4 IMZA65R057M1HXKSA1
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

MääräYksikköhinta
1 - 4€ 7,80
5 - 9€ 7,40
10 - 24€ 7,10
25 - 49€ 6,80
50+€ 6,30

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

35 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Package Type

TO-247-4

Series

CoolSiC

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance

0.074 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5.7V

Transistor Material

Silicon

Number of Elements per Chip

1

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja