N-Channel MOSFET, 24.8 A, 500 V, 3 + Tab-Pin TO-220FP Infineon IPA50R190CEXKSA2
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
24.8 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Package Type
TO-220FP
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3 + Tab
Maximum Drain Source Resistance
450 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
32 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
+30 V
Width
4.9mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
10.65mm
Typical Gate Charge @ Vgs
47.2 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Height
16.15mm
Forward Diode Voltage
0.85V
Series
CoolMOS CE
Minimum Operating Temperature
-40 °C
Alkuperämaa
Malaysia
Tuotetiedot
Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 1,15
1 kpl (500 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 1,426
1 kpl (500 kpl/putki) (Sis ALV:n)
500
€ 1,15
1 kpl (500 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 1,426
1 kpl (500 kpl/putki) (Sis ALV:n)
500
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Putki |
|---|---|---|
| 500 - 2000 | € 1,15 | € 575,00 |
| 2500 - 4500 | € 0,977 | € 488,50 |
| 5000+ | € 0,952 | € 476,00 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
24.8 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Package Type
TO-220FP
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3 + Tab
Maximum Drain Source Resistance
450 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
32 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
+30 V
Width
4.9mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
10.65mm
Typical Gate Charge @ Vgs
47.2 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Height
16.15mm
Forward Diode Voltage
0.85V
Series
CoolMOS CE
Minimum Operating Temperature
-40 °C
Alkuperämaa
Malaysia
Tuotetiedot
Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.