Infineon CoolMOS™ P7 N-Channel MOSFET, 20 A, 1200 V, 3-Pin TO-220 FP IPA60R160P7XKSA1

RS tilauskoodi: 222-4878PTuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: IPA60R160P7XKSA1
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

20 A

Maximum Drain Source Voltage

1200 V

Series

CoolMOS™ P7

Package Type

TO-220 FP

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

160 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Si

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 5,50

€ 1,10 kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)

€ 6,90

€ 1,38 kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)

Infineon CoolMOS™ P7 N-Channel MOSFET, 20 A, 1200 V, 3-Pin TO-220 FP IPA60R160P7XKSA1
Valitse pakkaustyyppi

€ 5,50

€ 1,10 kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)

€ 6,90

€ 1,38 kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)

Infineon CoolMOS™ P7 N-Channel MOSFET, 20 A, 1200 V, 3-Pin TO-220 FP IPA60R160P7XKSA1
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

20 A

Maximum Drain Source Voltage

1200 V

Series

CoolMOS™ P7

Package Type

TO-220 FP

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

160 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Si

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja