N-Channel MOSFET, 13.8 A, 650 V, 3-Pin TO-220 Infineon IPA60R280P6XKSA1
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
13.8 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
280 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
32 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Width
4.9mm
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si
Length
10.65mm
Typical Gate Charge @ Vgs
25.5 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
16.15mm
Series
CoolMOS P6
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
0.9V
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
Infineon CoolMOS™E6/P6 series Power MOSFET
The Infineon range of CoolMOS™E6 and P6 series MOSFETs. These highly efficient devices can be used in several applications including Power Factor Correction (PFC), lighting and consumer devices as well as solar, telecoms and servers.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 1,95
1 kpl (50 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 2,418
1 kpl (50 kpl/putki) (Sis ALV:n)
50
€ 1,95
1 kpl (50 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 2,418
1 kpl (50 kpl/putki) (Sis ALV:n)
50
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
13.8 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
280 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
32 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Width
4.9mm
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si
Length
10.65mm
Typical Gate Charge @ Vgs
25.5 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
16.15mm
Series
CoolMOS P6
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
0.9V
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
Infineon CoolMOS™E6/P6 series Power MOSFET
The Infineon range of CoolMOS™E6 and P6 series MOSFETs. These highly efficient devices can be used in several applications including Power Factor Correction (PFC), lighting and consumer devices as well as solar, telecoms and servers.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.