N-Channel MOSFET, 10.3 A, 600 V, 3-Pin TO-220 FP Infineon IPAW60R600CEXKSA1
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
10.3 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Package Type
TO-220 FP
Series
CoolMOS CE
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
1.4 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
28 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Width
4.9mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
11.3mm
Number of Elements per Chip
1
Typical Gate Charge @ Vgs
20.5 nC @ 10 V
Height
16.27mm
Forward Diode Voltage
0.9V
Minimum Operating Temperature
-40 °C
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,728
1 kpl (450 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 0,903
1 kpl (450 kpl/putki) (Sis ALV:n)
450
€ 0,728
1 kpl (450 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 0,903
1 kpl (450 kpl/putki) (Sis ALV:n)
450
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Putki |
|---|---|---|
| 450 - 450 | € 0,728 | € 327,60 |
| 900 - 900 | € 0,691 | € 310,95 |
| 1350+ | € 0,647 | € 291,15 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
10.3 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Package Type
TO-220 FP
Series
CoolMOS CE
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
1.4 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
28 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Width
4.9mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
11.3mm
Number of Elements per Chip
1
Typical Gate Charge @ Vgs
20.5 nC @ 10 V
Height
16.27mm
Forward Diode Voltage
0.9V
Minimum Operating Temperature
-40 °C
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.