Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
191 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
PG-TO263-3
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Channel Mode
Enhancement
Transistor Material
SiC
Number of Elements per Chip
2
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
€ 0,785
1 kpl (800 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 0,985
1 kpl (800 kpl/kela) (Sis ALV:n)
Dual SiC N-Channel MOSFET, 191 A, 40 V, 3-Pin PG-TO263-3 Infineon IPB014N04NF2SATMA1
800
€ 0,785
1 kpl (800 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 0,985
1 kpl (800 kpl/kela) (Sis ALV:n)
Dual SiC N-Channel MOSFET, 191 A, 40 V, 3-Pin PG-TO263-3 Infineon IPB014N04NF2SATMA1
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
800
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
191 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
PG-TO263-3
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Channel Mode
Enhancement
Transistor Material
SiC
Number of Elements per Chip
2