Dual SiC N-Channel MOSFET, 187 A, 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 Infineon IPB018N06NF2SATMA1
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
187 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
PG-TO263-3
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Channel Mode
Enhancement
Number of Elements per Chip
2
Transistor Material
SiC
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 2,15
1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 2,666
1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
5
€ 2,15
1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 2,666
1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
5
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 2,15 | € 10,75 |
| 25 - 45 | € 1,90 | € 9,50 |
| 50 - 120 | € 1,80 | € 9,00 |
| 125 - 245 | € 1,65 | € 8,25 |
| 250+ | € 1,55 | € 7,75 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
187 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
PG-TO263-3
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Channel Mode
Enhancement
Number of Elements per Chip
2
Transistor Material
SiC
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.