N-Channel MOSFET, 176 A, 100 V, 3-Pin TO 263 Infineon IPB020N10N5ATMA1
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
176 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
TO 263
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
2.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.8V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.2V
Maximum Power Dissipation
375 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Width
11.05mm
Number of Elements per Chip
1
Typical Gate Charge @ Vgs
168 nC @ 10 V
Length
10.31mm
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Series
IPB020N10N5
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
4.57mm
Forward Diode Voltage
1.2V
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 7,00
1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 8,68
1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
5
€ 7,00
1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 8,68
1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
5
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 7,00 | € 35,00 |
| 25 - 95 | € 5,90 | € 29,50 |
| 100 - 245 | € 5,10 | € 25,50 |
| 250 - 495 | € 4,90 | € 24,50 |
| 500+ | € 4,35 | € 21,75 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
176 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
TO 263
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
2.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.8V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.2V
Maximum Power Dissipation
375 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Width
11.05mm
Number of Elements per Chip
1
Typical Gate Charge @ Vgs
168 nC @ 10 V
Length
10.31mm
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Series
IPB020N10N5
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
4.57mm
Forward Diode Voltage
1.2V
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.