N-Channel MOSFET, 31 A, 600 V, 3-Pin D2PAK Infineon IPB60R099CPAATMA1
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
31 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Package Type
D2PAK (TO-263)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
105 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
20V
Minimum Gate Threshold Voltage
20V
Maximum Power Dissipation
255 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
60 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
10.31mm
Width
9.45mm
Transistor Material
Si
Height
4.57mm
Minimum Operating Temperature
-40 °C
Series
CoolMOS CP
Tuotetiedot
Infineon CoolMOS™CP Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 4,00
€ 4,00 kpl (ilman ALV)
€ 5,02
€ 5,02 kpl (Sis ALV:n)
Standardi
1
€ 4,00
€ 4,00 kpl (ilman ALV)
€ 5,02
€ 5,02 kpl (Sis ALV:n)
Standardi
1
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
31 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Package Type
D2PAK (TO-263)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
105 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
20V
Minimum Gate Threshold Voltage
20V
Maximum Power Dissipation
255 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
60 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
10.31mm
Width
9.45mm
Transistor Material
Si
Height
4.57mm
Minimum Operating Temperature
-40 °C
Series
CoolMOS CP
Tuotetiedot
Infineon CoolMOS™CP Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.