Infineon CoolMOS™ Silicon N-Channel MOSFET, 31 A, 650 V, 3-Pin TO 263 IPB60R099P7ATMA1

RS tilauskoodi: 222-4653Tuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: IPB60R099P7ATMA1
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

31 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Series

CoolMOS™

Package Type

TO 263

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.099 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Silicon

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 2 300,00

€ 2,30 1 kpl (1000 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 2 886,50

€ 2,886 1 kpl (1000 kpl/kela) (Sis ALV:n)

Infineon CoolMOS™ Silicon N-Channel MOSFET, 31 A, 650 V, 3-Pin TO 263 IPB60R099P7ATMA1

1000

Pakkauskoko 1000
1000€ 2 300,00
2000€ 4 600,00
3000€ 6 900,00
4000€ 9 200,00
5000€ 11 500,00
6000€ 13 800,00
7000€ 16 100,00
8000€ 18 400,00
9000€ 20 700,00
10000€ 23 000,00
11000€ 25 300,00
12000€ 27 600,00
13000€ 29 900,00
14000€ 32 200,00
15000€ 34 500,00

€ 2 300,00

€ 2,30 1 kpl (1000 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 2 886,50

€ 2,886 1 kpl (1000 kpl/kela) (Sis ALV:n)

Infineon CoolMOS™ Silicon N-Channel MOSFET, 31 A, 650 V, 3-Pin TO 263 IPB60R099P7ATMA1
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

1000

Pakkauskoko 1000
1000€ 2 300,00
2000€ 4 600,00
3000€ 6 900,00
4000€ 9 200,00
5000€ 11 500,00
6000€ 13 800,00
7000€ 16 100,00
8000€ 18 400,00
9000€ 20 700,00
10000€ 23 000,00
11000€ 25 300,00
12000€ 27 600,00
13000€ 29 900,00
14000€ 32 200,00
15000€ 34 500,00

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

31 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Series

CoolMOS™

Package Type

TO 263

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.099 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Silicon

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja