Infineon OptiMOS P P-Channel MOSFET, 80 A, 40 V, 3-Pin D2PAK IPB80P04P407ATMA1

RS tilauskoodi: 826-9487PTuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: IPB80P04P407ATMA1
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

80 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Series

OptiMOS P

Package Type

D2PAK (TO-263)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

7.7 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

88 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Length

10mm

Typical Gate Charge @ Vgs

68 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Width

9.25mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Height

4.4mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

Infineon OptiMOS™P P-Channel Power MOSFETs

The Infineon OptiMOS™ P-Channel power MOSFETs are designed to give enhanced features meeting quality performances. Features include ultra-low switching loss, on-state resistance, Avalanche ratings as well as being AEC qualified for automotive solutions. Applications include dc-dc, motor control, automotive and eMobility.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 102,50

€ 2,05 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 128,64

€ 2,573 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

Infineon OptiMOS P P-Channel MOSFET, 80 A, 40 V, 3-Pin D2PAK IPB80P04P407ATMA1
Valitse pakkaustyyppi

Tuotantopakkaus (Kela)

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 25.

Tuotanto -

Pakkauskoko 25.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

50

Pakkauskoko 25
50€ 102,50
75€ 153,75
100€ 205,00
125€ 243,75
150€ 292,50
175€ 341,25
200€ 390,00
225€ 438,75
250€ 462,50
275€ 508,75
300€ 555,00
325€ 601,25
350€ 647,50
375€ 693,75
400€ 740,00

€ 102,50

€ 2,05 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 128,64

€ 2,573 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

Infineon OptiMOS P P-Channel MOSFET, 80 A, 40 V, 3-Pin D2PAK IPB80P04P407ATMA1
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Tuotantopakkaus (Kela)

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 25.

Tuotanto -

Pakkauskoko 25.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

50

Pakkauskoko 25
50€ 102,50
75€ 153,75
100€ 205,00
125€ 243,75
150€ 292,50
175€ 341,25
200€ 390,00
225€ 438,75
250€ 462,50
275€ 508,75
300€ 555,00
325€ 601,25
350€ 647,50
375€ 693,75
400€ 740,00

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

MääräYksikköhintaPer Kela
50 - 100€ 2,05€ 51,25
125 - 225€ 1,95€ 48,75
250 - 475€ 1,85€ 46,25
500+€ 1,75€ 43,75

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

80 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Series

OptiMOS P

Package Type

D2PAK (TO-263)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

7.7 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

88 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Length

10mm

Typical Gate Charge @ Vgs

68 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Width

9.25mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Height

4.4mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

Infineon OptiMOS™P P-Channel Power MOSFETs

The Infineon OptiMOS™ P-Channel power MOSFETs are designed to give enhanced features meeting quality performances. Features include ultra-low switching loss, on-state resistance, Avalanche ratings as well as being AEC qualified for automotive solutions. Applications include dc-dc, motor control, automotive and eMobility.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja