N-Channel MOSFET, 40 A, 30 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD090N03LGATMA1

RS tilauskoodi: 130-0895Tuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: IPD090N03LGATMA1
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

40 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

13.5 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

42 W

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

6.22mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

9.6 nC @ 4.5 V

Height

2.41mm

Series

OptiMOS3

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.1V

Tuotetiedot

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, up to 40V

OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,452

1 kpl (25 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,56

1 kpl (25 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 40 A, 30 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD090N03LGATMA1

25

Pakkauskoko 25
25€ 11,30
50€ 22,60
75€ 33,90
100€ 45,20
125€ 37,62
150€ 45,15
175€ 52,68
200€ 60,20
225€ 67,72
250€ 75,25
275€ 82,78
300€ 90,30
325€ 97,82
350€ 105,35
375€ 112,88

€ 0,452

1 kpl (25 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,56

1 kpl (25 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 40 A, 30 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD090N03LGATMA1
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

25

Pakkauskoko 25
25€ 11,30
50€ 22,60
75€ 33,90
100€ 45,20
125€ 37,62
150€ 45,15
175€ 52,68
200€ 60,20
225€ 67,72
250€ 75,25
275€ 82,78
300€ 90,30
325€ 97,82
350€ 105,35
375€ 112,88

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
25 - 100€ 0,452€ 11,30
125 - 475€ 0,301€ 7,52
500 - 975€ 0,258€ 6,45
1000 - 2475€ 0,226€ 5,65
2500+€ 0,198€ 4,95

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

40 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

13.5 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

42 W

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

6.22mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

9.6 nC @ 4.5 V

Height

2.41mm

Series

OptiMOS3

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.1V

Tuotetiedot

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, up to 40V

OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja