N-Channel MOSFET, 50 A, 150 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD200N15N3GATMA1
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Maximum Drain Source Voltage
150 V
Series
IPD200N15N3 G
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
20 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
150 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Width
9.45mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
10.36mm
Typical Gate Charge @ Vgs
23 nC @ 10 V
Height
4.57mm
Forward Diode Voltage
1.2V
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 1,50
1 kpl (2500 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 1,86
1 kpl (2500 kpl/kela) (Sis ALV:n)
2500
€ 1,50
1 kpl (2500 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 1,86
1 kpl (2500 kpl/kela) (Sis ALV:n)
2500
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Maximum Drain Source Voltage
150 V
Series
IPD200N15N3 G
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
20 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
150 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Width
9.45mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
10.36mm
Typical Gate Charge @ Vgs
23 nC @ 10 V
Height
4.57mm
Forward Diode Voltage
1.2V
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.