N-Channel MOSFET, 50 A, 150 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD200N15N3GATMA1

RS tilauskoodi: 171-1945Tuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: IPD200N15N3GATMA1
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

50 A

Maximum Drain Source Voltage

150 V

Package Type

DPAK (TO-252)

Series

IPD200N15N3 G

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

20 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

150 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

20 V

Length

10.36mm

Typical Gate Charge @ Vgs

23 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Width

9.45mm

Number of Elements per Chip

1

Forward Diode Voltage

1.2V

Height

4.57mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 2,50

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 3,10

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 50 A, 150 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD200N15N3GATMA1
Valitse pakkaustyyppi

€ 2,50

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 3,10

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 50 A, 150 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD200N15N3GATMA1
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
10 - 10€ 2,50€ 25,00
20 - 40€ 2,00€ 20,00
50 - 90€ 1,85€ 18,50
100 - 240€ 1,75€ 17,50
250+€ 1,60€ 16,00

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

50 A

Maximum Drain Source Voltage

150 V

Package Type

DPAK (TO-252)

Series

IPD200N15N3 G

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

20 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

150 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

20 V

Length

10.36mm

Typical Gate Charge @ Vgs

23 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Width

9.45mm

Number of Elements per Chip

1

Forward Diode Voltage

1.2V

Height

4.57mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja