N-Channel MOSFET, 35 A, 100 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD25CN10NGATMA1
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
35 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Series
IPD25CN10N G
Package Type
TO-252
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
26 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
71 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
23 nC @ 10 V
Width
7.47mm
Number of Elements per Chip
1
Height
2.41mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 1,10
1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 1,364
1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
10
€ 1,10
1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 1,364
1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
10
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 1,10 | € 11,00 |
| 100 - 240 | € 0,873 | € 8,73 |
| 250 - 490 | € 0,817 | € 8,17 |
| 500 - 990 | € 0,761 | € 7,61 |
| 1000+ | € 0,706 | € 7,06 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
35 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Series
IPD25CN10N G
Package Type
TO-252
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
26 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
71 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
23 nC @ 10 V
Width
7.47mm
Number of Elements per Chip
1
Height
2.41mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.