N-Channel MOSFET, 34 A, 200 V, 3 + 2 Tab-Pin DPAK Infineon IPD320N20N3GATMA1

RS tilauskoodi: 170-2294Tuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: IPD320N20N3GATMA1
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

34 A

Maximum Drain Source Voltage

200 V

Package Type

TO-252

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3 + 2 Tab

Maximum Drain Source Resistance

32 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

136 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

20 V

Width

7.47mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

22 nC @ 10 V

Height

2.41mm

Series

IPD320N20N3 G

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 1,60

1 kpl (2500 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 1,984

1 kpl (2500 kpl/kela) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 34 A, 200 V, 3 + 2 Tab-Pin DPAK Infineon IPD320N20N3GATMA1

€ 1,60

1 kpl (2500 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 1,984

1 kpl (2500 kpl/kela) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 34 A, 200 V, 3 + 2 Tab-Pin DPAK Infineon IPD320N20N3GATMA1
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

34 A

Maximum Drain Source Voltage

200 V

Package Type

TO-252

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3 + 2 Tab

Maximum Drain Source Resistance

32 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

136 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

20 V

Width

7.47mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

22 nC @ 10 V

Height

2.41mm

Series

IPD320N20N3 G

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja