Infineon OptiMOS™ Silicon N-Channel MOSFET, 50 A, 60 V, 3-Pin DPAK IPD50N06S4L08ATMA2

RS tilauskoodi: 222-4666PTuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: IPD50N06S4L08ATMA2
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

50 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

OptiMOS™

Package Type

TO-252

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.0078 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.2V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Silicon

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 78,75

€ 1,05 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 98,83

€ 1,318 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

Infineon OptiMOS™ Silicon N-Channel MOSFET, 50 A, 60 V, 3-Pin DPAK IPD50N06S4L08ATMA2
Valitse pakkaustyyppi

€ 78,75

€ 1,05 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 98,83

€ 1,318 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

Infineon OptiMOS™ Silicon N-Channel MOSFET, 50 A, 60 V, 3-Pin DPAK IPD50N06S4L08ATMA2
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

MääräYksikköhintaPer Kela
75 - 135€ 1,05€ 15,75
150 - 360€ 0,985€ 14,78
375 - 735€ 0,943€ 14,14
750+€ 0,877€ 13,16

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

50 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

OptiMOS™

Package Type

TO-252

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.0078 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.2V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Silicon

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja