Website Outage

Due to essential maintenance the website will be unavailable from 3am to 7am (GMT) Saturday 10th May. We apologise for any inconvenience.

Infineon OptiMOS P P-Channel MOSFET, 50 A, 40 V, 3-Pin DPAK IPD50P04P413ATMA1

RS tilauskoodi: 826-9109Tuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: IPD50P04P4-13
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

50 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Series

OptiMOS P

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

12.6 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

58 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

6.22mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

6.5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

39 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Height

2.3mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

Infineon OptiMOS™P P-Channel Power MOSFETs

The Infineon OptiMOS™ P-Channel power MOSFETs are designed to give enhanced features meeting quality performances. Features include ultra-low switching loss, on-state resistance, Avalanche ratings as well as being AEC qualified for automotive solutions. Applications include dc-dc, motor control, automotive and eMobility.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 26,25

€ 1,05 1 kpl (25 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 32,94

€ 1,318 1 kpl (25 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Infineon OptiMOS P P-Channel MOSFET, 50 A, 40 V, 3-Pin DPAK IPD50P04P413ATMA1
Valitse pakkaustyyppi

€ 26,25

€ 1,05 1 kpl (25 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 32,94

€ 1,318 1 kpl (25 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Infineon OptiMOS P P-Channel MOSFET, 50 A, 40 V, 3-Pin DPAK IPD50P04P413ATMA1
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
25 - 25€ 1,05€ 26,25
50 - 100€ 0,81€ 20,25
125 - 225€ 0,758€ 18,95
250 - 600€ 0,706€ 17,65
625+€ 0,654€ 16,35

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

50 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Series

OptiMOS P

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

12.6 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

58 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

6.22mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

6.5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

39 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Height

2.3mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

Infineon OptiMOS™P P-Channel Power MOSFETs

The Infineon OptiMOS™ P-Channel power MOSFETs are designed to give enhanced features meeting quality performances. Features include ultra-low switching loss, on-state resistance, Avalanche ratings as well as being AEC qualified for automotive solutions. Applications include dc-dc, motor control, automotive and eMobility.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja