N-Channel MOSFET, 3.9 A, 800 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD80R1K4CEATMA1

RS tilauskoodi: 214-4395Tuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: IPD80R1K4CEATMA1
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

3.9 A

Maximum Drain Source Voltage

800 V

Series

CoolMOS™ CE

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

1.4 Ω

Maximum Gate Threshold Voltage

3.9V

Number of Elements per Chip

1

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,485

1 kpl (2500 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 0,609

1 kpl (2500 kpl/kela) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 3.9 A, 800 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD80R1K4CEATMA1

2500

Pakkauskoko 2500
2500€ 1 212,50
5000€ 2 425,00
7500€ 3 637,50
10000€ 4 850,00
12500€ 6 062,50
15000€ 7 275,00
17500€ 8 487,50
20000€ 9 700,00
22500€ 10 912,50
25000€ 12 125,00
27500€ 13 337,50
30000€ 14 550,00
32500€ 15 762,50
35000€ 16 975,00
37500€ 18 187,50

€ 0,485

1 kpl (2500 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 0,609

1 kpl (2500 kpl/kela) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 3.9 A, 800 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD80R1K4CEATMA1
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

2500

Pakkauskoko 2500
2500€ 1 212,50
5000€ 2 425,00
7500€ 3 637,50
10000€ 4 850,00
12500€ 6 062,50
15000€ 7 275,00
17500€ 8 487,50
20000€ 9 700,00
22500€ 10 912,50
25000€ 12 125,00
27500€ 13 337,50
30000€ 14 550,00
32500€ 15 762,50
35000€ 16 975,00
37500€ 18 187,50

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

3.9 A

Maximum Drain Source Voltage

800 V

Series

CoolMOS™ CE

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

1.4 Ω

Maximum Gate Threshold Voltage

3.9V

Number of Elements per Chip

1

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja