N-Channel MOSFET, 6 A, 800 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD80R900P7ATMA1

RS tilauskoodi: 215-2517Tuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: IPD80R900P7ATMA1
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

6 A

Maximum Drain Source Voltage

800 V

Series

800V CoolMOS™ P7

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.9 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Si

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,596

1 kpl (2500 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 0,739

1 kpl (2500 kpl/kela) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 6 A, 800 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD80R900P7ATMA1

2500

Pakkauskoko 2500
2500€ 1 490,00
5000€ 2 980,00
7500€ 4 470,00
10000€ 5 960,00
12500€ 7 450,00
15000€ 8 940,00
17500€ 10 430,00
20000€ 11 920,00
22500€ 13 410,00
25000€ 14 900,00
27500€ 16 390,00
30000€ 17 880,00
32500€ 19 370,00
35000€ 20 860,00
37500€ 22 350,00

€ 0,596

1 kpl (2500 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 0,739

1 kpl (2500 kpl/kela) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 6 A, 800 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD80R900P7ATMA1
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

2500

Pakkauskoko 2500
2500€ 1 490,00
5000€ 2 980,00
7500€ 4 470,00
10000€ 5 960,00
12500€ 7 450,00
15000€ 8 940,00
17500€ 10 430,00
20000€ 11 920,00
22500€ 13 410,00
25000€ 14 900,00
27500€ 16 390,00
30000€ 17 880,00
32500€ 19 370,00
35000€ 20 860,00
37500€ 22 350,00

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

6 A

Maximum Drain Source Voltage

800 V

Series

800V CoolMOS™ P7

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.9 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Si

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja