Silicon N-Channel MOSFET, 90 A, 40 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD90N04S4L04ATMA1

RS tilauskoodi: 229-1837Tuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: IPD90N04S4L04ATMA1
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

90 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Series

OptiMOS™ -T2

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.0038 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Silicon

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 5,18

€ 0,345 1 kpl (15 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 6,50

€ 0,433 1 kpl (15 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Silicon N-Channel MOSFET, 90 A, 40 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD90N04S4L04ATMA1
Valitse pakkaustyyppi

€ 5,18

€ 0,345 1 kpl (15 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 6,50

€ 0,433 1 kpl (15 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Silicon N-Channel MOSFET, 90 A, 40 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD90N04S4L04ATMA1
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

90 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Series

OptiMOS™ -T2

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.0038 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Silicon

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja