Infineon OptiMOS P P-Channel MOSFET, 90 A, 30 V, 3-Pin DPAK IPD90P03P4L04ATMA1

RS tilauskoodi: 753-3033Tuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: IPD90P03P4L-04
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

90 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Series

OptiMOS P

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

6.8 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

137 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-16 V, +5 V

Typical Gate Charge @ Vgs

125 nC @ 10 V

Width

6.22mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

6.5mm

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Height

2.3mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

Infineon OptiMOS™P P-Channel Power MOSFETs

The Infineon OptiMOS™ P-Channel power MOSFETs are designed to give enhanced features meeting quality performances. Features include ultra-low switching loss, on-state resistance, Avalanche ratings as well as being AEC qualified for automotive solutions. Applications include dc-dc, motor control, automotive and eMobility.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 9,50

€ 1,90 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 11,92

€ 2,384 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Infineon OptiMOS P P-Channel MOSFET, 90 A, 30 V, 3-Pin DPAK IPD90P03P4L04ATMA1
Valitse pakkaustyyppi

Standardi

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 5.

Tuotanto -

Pakkauskoko 5.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

5

Pakkauskoko 5
5€ 9,50
10€ 19,00
15€ 28,50
20€ 38,00
25€ 47,50
30€ 57,00
35€ 66,50
40€ 76,00
45€ 85,50
50€ 95,00
55€ 104,50
60€ 114,00
65€ 123,50
70€ 133,00
75€ 142,50

€ 9,50

€ 1,90 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 11,92

€ 2,384 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Infineon OptiMOS P P-Channel MOSFET, 90 A, 30 V, 3-Pin DPAK IPD90P03P4L04ATMA1
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Standardi

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 5.

Tuotanto -

Pakkauskoko 5.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

5

Pakkauskoko 5
5€ 9,50
10€ 19,00
15€ 28,50
20€ 38,00
25€ 47,50
30€ 57,00
35€ 66,50
40€ 76,00
45€ 85,50
50€ 95,00
55€ 104,50
60€ 114,00
65€ 123,50
70€ 133,00
75€ 142,50

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

90 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Series

OptiMOS P

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

6.8 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

137 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-16 V, +5 V

Typical Gate Charge @ Vgs

125 nC @ 10 V

Width

6.22mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

6.5mm

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Height

2.3mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

Infineon OptiMOS™P P-Channel Power MOSFETs

The Infineon OptiMOS™ P-Channel power MOSFETs are designed to give enhanced features meeting quality performances. Features include ultra-low switching loss, on-state resistance, Avalanche ratings as well as being AEC qualified for automotive solutions. Applications include dc-dc, motor control, automotive and eMobility.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja