Infineon OptiMOS™ Dual N-Channel MOSFET, 20 A, 55 V, 8-Pin TDSON IPG20N06S2L65AATMA1
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
55 V
Series
OptiMOS™
Package Type
TDSON
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
0.065 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.2V
Number of Elements per Chip
2
Transistor Material
Si
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 2 350,00
€ 0,47 1 kpl (5000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 2 949,25
€ 0,59 1 kpl (5000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
5000
€ 2 350,00
€ 0,47 1 kpl (5000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 2 949,25
€ 0,59 1 kpl (5000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
5000
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
55 V
Series
OptiMOS™
Package Type
TDSON
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
0.065 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.2V
Number of Elements per Chip
2
Transistor Material
Si
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.