N-Channel MOSFET, 11 A, 900 V, 3-Pin I2PAK Infineon IPI90R500C3XKSA1

RS tilauskoodi: 897-7557PTuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: IPI90R500C3XKSA1
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

11 A

Maximum Drain Source Voltage

900 V

Package Type

I2PAK (TO-262)

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

500 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

156 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

10.2mm

Typical Gate Charge @ Vgs

68 nC @ 10 V

Width

4.5mm

Transistor Material

Si

Series

CoolMOS C3

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Height

9.45mm

Tuotetiedot

Infineon CoolMOS™C3 Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,708

kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)

€ 0,889

kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 11 A, 900 V, 3-Pin I2PAK Infineon IPI90R500C3XKSA1
Valitse pakkaustyyppi

Tuotantopakkaus (Putki)

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 4.

Tuotanto -

Pakkauskoko 4.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

4

Pakkauskoko 4
4€ 2,83
8€ 5,66
12€ 8,50
16€ 11,33
20€ 14,16
24€ 16,99
28€ 19,82
32€ 22,66
36€ 25,49
40€ 28,32
44€ 31,15
48€ 33,98
52€ 36,82
56€ 39,65
60€ 42,48

€ 0,708

kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)

€ 0,889

kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 11 A, 900 V, 3-Pin I2PAK Infineon IPI90R500C3XKSA1
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Tuotantopakkaus (Putki)

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 4.

Tuotanto -

Pakkauskoko 4.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

4

Pakkauskoko 4
4€ 2,83
8€ 5,66
12€ 8,50
16€ 11,33
20€ 14,16
24€ 16,99
28€ 19,82
32€ 22,66
36€ 25,49
40€ 28,32
44€ 31,15
48€ 33,98
52€ 36,82
56€ 39,65
60€ 42,48

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

11 A

Maximum Drain Source Voltage

900 V

Package Type

I2PAK (TO-262)

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

500 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

156 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

10.2mm

Typical Gate Charge @ Vgs

68 nC @ 10 V

Width

4.5mm

Transistor Material

Si

Series

CoolMOS C3

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Height

9.45mm

Tuotetiedot

Infineon CoolMOS™C3 Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja