N-Channel MOSFET Transistor & Diode, 30 A, 650 V, 5-Pin ThinPAK 5 x 6 Infineon IPL60R360P6SATMA1
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
30 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Package Type
ThinPAK 5 x 6
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
5
Maximum Drain Source Resistance
0.36 O
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Number of Elements per Chip
1
Series
CoolMOS P6
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,982
1 kpl (5000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 1,218
1 kpl (5000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
5000
€ 0,982
1 kpl (5000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 1,218
1 kpl (5000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
5000
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
30 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Package Type
ThinPAK 5 x 6
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
5
Maximum Drain Source Resistance
0.36 O
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Number of Elements per Chip
1
Series
CoolMOS P6
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.