N-Channel MOSFET, 16 A, 650 V, 3-Pin TO-220 Infineon IPP60R199CPXKSA1
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
16 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Series
CoolMOS CP
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
490 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
139 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Width
4.57mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
10.36mm
Typical Gate Charge @ Vgs
32 nC @ 10 V
Height
15.95mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Alkuperämaa
Malaysia
Tuotetiedot
Infineon CoolMOS™CP Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 3,40
1 kpl (50 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 4,216
1 kpl (50 kpl/putki) (Sis ALV:n)
50
€ 3,40
1 kpl (50 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 4,216
1 kpl (50 kpl/putki) (Sis ALV:n)
50
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Putki |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 3,40 | € 170,00 |
| 100 - 200 | € 3,20 | € 160,00 |
| 250+ | € 2,90 | € 145,00 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
16 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Series
CoolMOS CP
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
490 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
139 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Width
4.57mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
10.36mm
Typical Gate Charge @ Vgs
32 nC @ 10 V
Height
15.95mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Alkuperämaa
Malaysia
Tuotetiedot
Infineon CoolMOS™CP Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.