Infineon CoolMOS™ Silicon N-Channel MOSFET, 31.2 A, 650 V, 3-Pin TO-220 IPP65R110CFDAAKSA1

RS tilauskoodi: 222-4707Tuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: IPP65R110CFDAAKSA1
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

31.2 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Series

CoolMOS™

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.11 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Silicon

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

€ 14,40

€ 7,20 1 kpl (2 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 18,07

€ 9,036 1 kpl (2 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Infineon CoolMOS™ Silicon N-Channel MOSFET, 31.2 A, 650 V, 3-Pin TO-220 IPP65R110CFDAAKSA1

2

Pakkauskoko 2
2€ 14,40
4€ 28,80
6€ 43,20
8€ 57,60
10€ 64,00
12€ 76,80
14€ 89,60
16€ 102,40
18€ 115,20
20€ 118,00
22€ 129,80
24€ 141,60
26€ 153,40
28€ 165,20
30€ 177,00

€ 14,40

€ 7,20 1 kpl (2 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 18,07

€ 9,036 1 kpl (2 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Infineon CoolMOS™ Silicon N-Channel MOSFET, 31.2 A, 650 V, 3-Pin TO-220 IPP65R110CFDAAKSA1

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

2

Pakkauskoko 2
2€ 14,40
4€ 28,80
6€ 43,20
8€ 57,60
10€ 64,00
12€ 76,80
14€ 89,60
16€ 102,40
18€ 115,20
20€ 118,00
22€ 129,80
24€ 141,60
26€ 153,40
28€ 165,20
30€ 177,00

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
2 - 8€ 7,20€ 14,40
10 - 18€ 6,40€ 12,80
20 - 48€ 5,90€ 11,80
50 - 98€ 5,60€ 11,20
100+€ 5,10€ 10,20

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

31.2 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Series

CoolMOS™

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.11 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Silicon

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja