Infineon Silicon N-Channel MOSFET, 31.2 A, 650 V, 3-Pin TO-220 IPP65R110CFDAAKSA1

RS tilauskoodi: 222-4707Tuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: IPP65R110CFDAAKSA1
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

31.2 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Series

CoolMOS™

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.11 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Silicon

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 16,20

€ 8,10 1 kpl (2 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 20,33

€ 10,166 1 kpl (2 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Infineon Silicon N-Channel MOSFET, 31.2 A, 650 V, 3-Pin TO-220 IPP65R110CFDAAKSA1
Valitse pakkaustyyppi

€ 16,20

€ 8,10 1 kpl (2 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 20,33

€ 10,166 1 kpl (2 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Infineon Silicon N-Channel MOSFET, 31.2 A, 650 V, 3-Pin TO-220 IPP65R110CFDAAKSA1
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
2 - 8€ 8,10€ 16,20
10 - 18€ 7,10€ 14,20
20 - 48€ 6,60€ 13,20
50 - 98€ 6,20€ 12,40
100+€ 5,80€ 11,60

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

31.2 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Series

CoolMOS™

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.11 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Silicon

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja