N-Channel MOSFET, 18 A, 700 V, 3-Pin TO-220 Infineon IPP65R125C7XKSA1
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
18 A
Maximum Drain Source Voltage
700 V
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
125 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
101 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
10.36mm
Typical Gate Charge @ Vgs
35 nC @ 10 V
Width
15.95mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
0.9V
Height
4.57mm
Series
CoolMOS C7
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
Infineon CoolMOS™C6/C7 Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 6,10
1 kpl (2 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 7,564
1 kpl (2 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
2
€ 6,10
1 kpl (2 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 7,564
1 kpl (2 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
2
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
18 A
Maximum Drain Source Voltage
700 V
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
125 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
101 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
10.36mm
Typical Gate Charge @ Vgs
35 nC @ 10 V
Width
15.95mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
0.9V
Height
4.57mm
Series
CoolMOS C7
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
Infineon CoolMOS™C6/C7 Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.