N-Channel MOSFET, 13 A, 700 V, 3-Pin TO-220 Infineon IPP65R190C7FKSA1
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
13 A
Maximum Drain Source Voltage
700 V
Series
CoolMOS C7
Package Type
TO-220
Series
CoolMOS™ C7
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
190 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
72 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
10.36mm
Typical Gate Charge @ Vgs
23 nC @ 10 V
Width
15.95mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
0.9V
Height
4.57mm
Tuotetiedot
Infineon CoolMOS™C6/C7 Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 3,75
kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)
€ 4,65
kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Putki)
4
€ 3,75
kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)
€ 4,65
kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Putki)
4
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Putki |
|---|---|---|
| 4 - 36 | € 3,75 | € 15,00 |
| 40 - 96 | € 3,35 | € 13,40 |
| 100 - 196 | € 3,20 | € 12,80 |
| 200 - 396 | € 2,95 | € 11,80 |
| 400+ | € 2,75 | € 11,00 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
13 A
Maximum Drain Source Voltage
700 V
Series
CoolMOS C7
Package Type
TO-220
Series
CoolMOS™ C7
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
190 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
72 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
10.36mm
Typical Gate Charge @ Vgs
23 nC @ 10 V
Width
15.95mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
0.9V
Height
4.57mm
Tuotetiedot
Infineon CoolMOS™C6/C7 Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.