N-Channel MOSFET, 17.5 A, 700 V, 3-Pin TO-220 Infineon IPP65R190CFDXKSA1
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
17.5 A
Maximum Drain Source Voltage
700 V
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
190 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.5V
Maximum Power Dissipation
151 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
10.36mm
Typical Gate Charge @ Vgs
68 nC @ 10 V
Width
4.57mm
Transistor Material
Si
Series
CoolMOS CFD
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
0.9V
Height
15.95mm
Tuotetiedot
Infineon CoolMOS™ CFD Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 3,40
kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)
€ 4,267
kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Putki)
4
€ 3,40
kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)
€ 4,267
kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Putki)
4
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
17.5 A
Maximum Drain Source Voltage
700 V
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
190 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.5V
Maximum Power Dissipation
151 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
10.36mm
Typical Gate Charge @ Vgs
68 nC @ 10 V
Width
4.57mm
Transistor Material
Si
Series
CoolMOS CFD
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
0.9V
Height
15.95mm
Tuotetiedot
Infineon CoolMOS™ CFD Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.